Память типа DDR SDRAM памяти Емкость 512 МБ Pins184 пин шины типа PC-3200 ошибка коррекции не-ECC время цикла 5 НС Кас компании cl3 скорость передачи данных 400 МГц Частота памяти 200 МГц Напряжение 2,5
Основные характеристики
Производитель LG
Модель GSA-H12N
Описание Внутренний привод позволяющий читать и записывать DVD±R/RW, CD-R/RW и DVD-RAM диски (без картриджей).
Цвета, использованные в оформлении Белый
Время доступа CD-ROM: 125 мс; DVD-ROM: 140/175 мс (SL/DL); DVD-RAM 300 мс
Установка Горизонтальная, вертикальная (при вертикальной ориентации использование 80 мм дисков невозможно)
Механизм загрузки дисков Лоток
Ёмкость записываемых дисков До 8.5 Гб
Буфер 2048 K, используется технология Superlink предотвращения ошибки опустошения буфера
Размеры (ширина x высота x глубина) 146 x 41.3 x 165 мм
Параметры производительности
Скорость чтения CD-ROM: 48x Max; CD-R/RW: 40x Max; DVD-ROM: 16x Max; DVD+R/RW: 12x Max; DVD-R/RW: 12x Max; DVD-RAM: 12x
Скорость записи DVD+R: 18x, DVD+RW: 8x, DVD-R: 18x, DVD-RW: 6x, CD-R: 48x, CD-RW: 32x, DVD-RAM: 12x, DVD-R DL (dual layer): 8х, DVD+R9 (dual layer): 10x; DVD-RAM: 12х
Интерфейс, разъемы и выходы
Интерфейс IDE
Совместимость
Поддерживаемые форматы DVD-ROM, DVD-R, DVD-R DL, DVD-RW, DVD+R, DVD+R9 dual layer, DVD+RW, DVD-RAM, CD-ROM, CD-ROM/XA, CD-DA, CD-Extra, CD Text, CD-R/RW, Photo CD, CD-I, Video-CD
Вес брутто (измерено в НИКСе) 0.75 кг
продам процессор, недорого
Спецификации
-Основные функции
Состояние Launched
Дата выпуска Q3'06
Процессор Номер E2160
Кэш-память 2 уровня 1 MB
Частота системной шины 800 MHz
Четность системной шины No
Набор команд 64-bit
Доступные варианты для встраиваемых систем Yes
Литография 65 nm
Диапазон напряжения VID 0.8500V-1.5V
Рекомендуемая цена для покупателей TRAY: $60.00
Техническое описание Link
-Производительность
Количество ядер 2
Базовая тактовая частота процессора 1.8 GHz
Расчетная мощность 65 W
-Спецификации корпуса
TCASE 73.3°C
Размер корпуса 37.5mm x 37.5mm
Размер ядра процессора 77 mm2
Кол-во транзисторов в ядре процессора 105 million
Поддерживаемые разъемы LGA775
Доступны опции с низким уровнем содержания галогенов См. декларацию MDDS
-Усовершенствованные технологии
Технология Intel® Turbo Boost ‡ No
Технология Intel® Hyper-Threading ‡ No
Технология виртуализации Intel® (VT-x) ‡ No
Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d) ‡ No
Архитектура Intel® 64 ‡ Yes
Состояния простоя Yes
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® Yes
Технология Intel® Demand Based Switching No
Технологии термоконтроля Yes
-Технология Intel® Data Protection
Новые команды Intel® AES No
-Технология Intel® Platform Protection
Технология Trusted Execution ‡ No
Функция Бит отмены выполнения ‡ Yes