Ядро Conroe
Количество ядер 2
Разъем LGA 775
Набор инструкций RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, Supplemental SSE3
Прочие особенности VT,EIST,TXT
Кол-во транзисторов, млн 291
Техпроцесс, нм 65
Площадь кристалла, кв. мм 143
Напряжение питания, В 0,85~1,5
TDP, Вт 65
Предельная температура, °C 72
Частота, МГц 2333
кэш L1, КБ 32 x 2
кэш L2, КБ 4096
кэш L3, КБ -
FSB/HT/QPI 1333
Множитель 7.0x