Тип памяти - DDR, Форм-фактор - DIMM 184-контактный,
Тактовая частота - 266 МГц, Пропускная способность - 2100 Мб/с, Объем - 1 модуль 512 Мб, Поддержка ECC - есть, Буферизованная (Registered) - да, Низкопрофильная (Low Profile) - нет, CAS Latency (CL) - 2.5, Количество чипов каждого модуля - 18 (двусторонняя упаковка), Напряжение питания - 2.5 В, Количество ранков - 1, Дополнительная информация: Позолоченные контакты. Цена за 1 шт., в наличии - 2.