Общие характеристики
Тип памяти DDR2
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 800 МГц
Пропускная способность 6400 Мб/с
Объем 1 модуль 512 Мб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 5
RAS to CAS Delay (tRCD) 5
Row Precharge Delay (tRP) 5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.8 В
Количество ранков 1

Было найдено: 26.02.2017