Общие характеристики:
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1375 МГц
Пропускная способность 11000 Мб/с
Объем 1 модуль по 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 7
RAS to CAS Delay (tRCD) 7
Row Precharge Delay (tRP) 7
Activate to Precharge Delay (tRAS) 20
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16,
Напряжение питания 1.7 В
Радиатор - есть.
причина продажи: три разъма в мат.плате под оперативную память, раньше стояли 3 по 1 ГБ, а потом приобрёл 1 планку в 2 ГБ. получилось 4 планки в наличии, но три слота в матплате.