Ядро GT216
Техпроцесс (мкм) 0.04
Транзисторов (млн) 486
Частота работы ядра 625
Частота работы памяти (DDR) DDR2 500 (1000)/DDR3 790 (1580)/GDDR3 1012 (2024)
Шина и тип памяти 128-bit
ПСП (Гб/с) 16.0/25.3/32.4
Унифицированные шейдерные блоки 48
Частота унифицированных шейдерных блоков 1360
TMU на конвейер 16
ROP 8
Shaders Model 4.1
Fill Rate (Mpix/s) 5000
Fill Rate (Mtex/s) 10000
DirectX 10.1
Объем памяти 1024
Интерфейс PCI-E 2.0

Было найдено: 16.04.2017