Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Объем
2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
Дополнительно
Напряжение питания
1.5 В
Радиатор
есть

Было найдено: 12.04.2019